台积电披露2纳米制程，计划2025年全员量产

台积电正式公布了其 N2制造技术，该技术计划于 2025 年投入生产，并且台积电将首次使用环绕栅极场效应晶体管结构（GAAFET）。

台积电首先介绍了 N3 的 FINFLEX，包括具有以下特性的 3-2 FIN、2-2 FIN 和 2-1 FIN 配置：

3-2 FIN – 最快的时钟频率和最高的性能满足最苛刻的计算需求

2-2 FIN – Efficient Performance，性能、功率效率和密度之间的良好平衡

2-1 FIN – 超高能效、最低功耗、最低泄漏和最高密度

台积电称 FINFLEX 扩展了 3nm 系列半导体技术的产品性能、功率效率和密度范围，允许芯片设计人员使用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项。

N2 工艺带来了两项重要的创新：纳米片晶体管（台积电称之为 GAAFET）和 backside power rail。GAA 纳米片晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，从而减少了泄漏；此外，它们的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能，也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本。为了给这些纳米片晶体管提供足够的功率，台积电的 N2 使用 backside power rail，台积电认为这是在 back-end-of-line (BEOL) 中对抗电阻的最佳解决方案之一。

台积电还表示，N2不仅有面向移动处理器的标准工艺，还会有针对高性能运算和小芯片（Chiplet）的整合方案。

时间方面预计N2将于2025年实现全员量产。